如何查看自己的内存频率和时序（内存条频率和时序如何选）

如何检查当前内存频率？为什么高玩选择内存而不是频率和时序？阅读记忆时序

随着DDR5内存的出现，更多人开始关注内存产品在频率上的升级。5000MHz起步的高频设计，确实在数值上给人一种震撼和惊喜，似乎也是很多用户选购内存产品的唯一标准。从而忽略了内存产品中一个极其重要的参数设计，那就是时序。

即一系列标有 40-40-40-77 ；主要内存产品，高端和低端。不同产品的价值观会有显著差异，几乎一个产品就有一个价值观；面对这一系列无规律的数值，很少有人会去关注它们的差异，探究它们的作用。今天，让我们 让我们来看一盘时间序列的记忆。

01时间序列是什么？

记忆计时，一句话，是指在记忆中处理各种任务和操作的固有延迟的数值描述，或者更本质地说，是指记忆处理和操作的具体延迟时间。从这个定义来看，时机越小越好；

同时，影响记忆延迟，或者说描述延迟的时间序列有很多种。我们常规产品中列出的四种是对记忆影响更大的最重要的部分。

内存时序

都有特定的编码，依次是CL，tRCD，tRP，tRAS。这四个代码都是缩写。之一个CL，即CAS Latency，描述了内存列地址访问的延迟时间，也是时序中最重要的参数。第二个tRCD，RAS到CAS延迟，指的是存储器行地址传输到列地址的延迟时间；第三个tRP，即RAS预充电时间，代表存储线地址选通cas延迟；第四个tRAS，RAS有效时间，描述行地址被激活的时间。

时机如何影响工作？

了解了主计时含义之后，我们还需要了解内存和CPU的连接原理，才能真正理解主计时对内存性能的影响。

通常，CPU 的工作流程是发出寻址指令，内存会快速搜索并寻址缓存中存储的文件。我们把寻址过程想象成一个由行和列组成的网格。

当CPU发出对文件的搜索时，内存需要先确定哪一行数据在Go网格中，所以时序的第二个参数tRCD代表这个时间。简单来说就是内存在收到该行的指令后，需要等待多长时间才能访问该行。值得注意的是，由于每行的数据量非常复杂，在之一步内存工作中无法准确定位，只能估计，所以需要第二步来完成指令。

当内存确定一个文件在哪一行时，它需要确认数据在哪一列。只有确定了所有的行和列，才能锁定A文件的具体地址。确定一列的等待时间在时序上是CL，也就是内存确定行数后，访问一个特定列需要多长时间。

至于第三个参数，是指在确认之一行的值后，确定另一行的等待时间(时间段)。

第四个tRAS部分是指完成命令后整个内存的总和，其值大约等于前三个值的总和。当然，时间顺序越高，两者差别越大。

03 D4和D5时间序列比较。

让 让我们通过DDR4和DDR5的时间来探讨D4和D5之间的差异。

40-40-40-77 ；是一个品牌的时序设计。5200MHz的D5产品；16-16-16-36是品牌的时序设计 4000MHz产品。

从时间顺序上看，两者之间几乎有2倍以上的数值差异。虽然D5内存在绝对频率上有了明显的提升，但延迟严重，这无疑对用户的实际使用产生了一定的影响。

这也是为什么很多D5记忆暂时没有被大量玩家接受的原因。

频率的增加可以 t显著提升用户体验，但是过度的延迟就像一个定时炸弹，在不经意间影响了用户体验。想要更高的频率，减少时序，可能是未来内存行业需要探索的重要课题。

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内存条的频率和时序如何选择？记忆定时和记忆库有什么区别？