555电路 *** 信号发生器(555 *** 的高压发生器电路图)
j103场效应管参数 用555做一个高压发生器
用555做一个高压发生器。
如图,NE555为脉冲发生芯片(以此芯片外围电路为准,频率约1.7KHz,占空比lt10%),Q2为N沟道场效应管,Q1为NPN三极管,T1为高压线圈。
如图所示
芯片为NE555,为脉冲发生芯片,脉冲频率由C1、R1和R2来调整。开关管Q2为N沟道场效应管。(R3为场效应管的下拉电阻,防止场效应持续导通)Q1为NPN三极管,T1为高压变压器。
变压器输出的电压大小,由供电电压和T1的初级绕组和副级绕组来算。比如T1初级绕组为10圈,副级绕组为1000圈,那么比例是1:100,模块的输入电压为12V,但变压器的初级电压可能为12V也可能为20V等(大家可能会问了,为什么供电电压为12V,到初级线圈变成了25V,这是因为线圈的自感升压,哪怕初级为1000圈也有,只不过线圈的自感升压会小一点,变压器也算一个电感,也有阻性,自感升压的大小由电感量来确定。注意输入电压要以初级线圈的电压为准,否则计算出的电压不准确,误差会很大)。
计算如下
初级线圈电压为13V,初级线圈与副级线圈的绕组圈数比为1:100,那么输出电压约13/1100=1300V。
原件选择
NE5551
R11(5KΩ)
R21(10Ω)
R31(100Ω)
R41(10KΩ)
C11(100nf,电容标103)
C21(10uf)
C31(3000uf电解电容,注意正负)
D11(单向二极管,整流二极管)
Q11 (NPN三极管,如9014等)
Q21(N沟道场效应,就开关电源里都有)
T11(高压变压器)
(如有错误,欢迎指正)
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555 的高压发生器电路图 用555芯片做一个脉冲发生器